125单晶硅片
晶体生长方式:CZ
型号:P
电阻率:0.5-3.0,3.0-6.0Ω cm
氧含量:≤2.0*1018 atoms/cm3
碳含量:≤1*1017 atoms/ cm3
少子寿命:<10μs
单晶晶向:100 ±3°
位错密度: ≤103pcs/ cm3
硅片外形尺寸:125*125±0.5mm
硅片直径:150±0.5mm
硅片中心厚度: 200±20μm
总厚度变化:≤30μm
硅片表面粗燥度:≤8μm
硅片相邻边垂直度:90±0.3°
硅片边长较差:≤1.5mm
硅片弯曲度: ≤40μm
边缘缺陷宽度 ≤0.5mm
边缘缺陷长度≤1.0mm
表面污点/斑点:无
表面穿孔/裂纹:无
目视翘曲:无
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欢迎来到张家港市日晶科技有限公司网站, 具体地址是江苏省苏州张家港市江苏省张家港市东沙镇化学工业集中区,联系人是顾斌。
主要经营日晶科技原隶属于化学工业部**设计院,从事改良西门子法提纯多晶硅技术攻关及科研工作已有十二年历史。经过近几年的不断摸索及技术**,并吸收了意大利及德国的改良西门子法技术,优势组合后,**出一套低成本建设优化改良西门子法工厂的*三代电子较多晶硅生产技术。多晶硅; 单晶硅片; 单晶硅棒; 太阳能电池; IC晶圆; IC废料; LED。
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